Фазоимпульсный модулятор на тиристорах
Данное устройство предназначено для фазоимпульсной модуляции.
Генератор пилообразного напряжения выполнен на транзисторе VT1 и двухбазовом диоде (или однопереходном транзисторе) VT2, конденсаторе С1 и резисторе R3.
Угол отсечки регулируется с помощью второго однопереходного транзистора VT3, на котором также построен генератор импульсов.
Схема довольно проста, легко настраивается и перестраивается, обладает высокой надежностью.
Применяется для регулирования тока (напряжения) накала в печах.
Краткое описание работы.
Схему можно разбить на три основных функциональных блока.


2.1.Описание работы устройства.
Генератор пилообразного напряжения, построенный на транзисторе VT1, конденсаторе С1 и резисторе R1, вырабатывает импульсы, подаваемые на однопереходный транзистор ОПТ, который в свою очередь открывает на время
транзистор VT4, обеспечивающий подачу импульсов продолжительности t на нагрузку RH. Для фазовой модуляции импульсов используется схема на ОПТ VT3.
2.2.Описание работы генератора пилообразного напряжения.
При подключении напряжения UBX на транзистор VT1 конденсатор С1 начинает заряжаться через транзистор и резистор R1 до напряжения U(t1),определяемого величиной напряжения включения ОПТ.
Зарядившись до указанной величины конденсатор С1 начнет разряжаться через ОПТ VT2 и резистор R3.
2.3.Описание работы генератора импульсов.
При подаче напряжения на транзистор VT1 тиристор VT4 и двухбазовый диод (ОПТ) VT2 остаются запертыми, а конденсатор С1 начнет заряжаться через открытый транзистор VT1 и резистор R1. При достижении величины напряжение UЭ ВКЛ , при котором эммиттер - база 1 ОПТ VT2 окажется открытым. В этот момент включается VT2 и конденсатор С1 разряжается через цепь эмиттер-база1 VT2 и резистор R3.
Импульс, снимаемый с этого резистора, отопрет тиристор VT4 и напряжение источника питания окажется приложенным к нагрузке. Пока ток нагрузки IH>IУД тиристор остается открытым. Длительность задержки:
.
Когда открыт VT4, ток через нагрузку RH заряжает конденсатор С2 по цепи R4-C2-VT4. После заряда конденсатора С2 и отпирания VT5 от генератора модулирующего сигнала, конденсаторС2 подключается параллельно тиристору. Продолжительность заряда
.При этом положительная обкладка конденсатора С2 окажется подключенной к катоду, а отрицательная – к аноду. Т.о. к прибору прикладывается обратное напряжение
. В цепи, образованной конденсатором VT5 и тиристором VT4 возникает обратный ток, который проходит через прибор в обратном направлении. Когда результирующий ток прибора становится меньше IУД, последний запирается.
Должно быть ![]()
Емкость
,
где IПР А - прямой ток нагрузки τВЫКЛ, мкс.
При этом заряд одного импульса тока
, где Е=UП
tТС мин для VT4, мкс 0,707С2R4
Если варьировать моментом отпирания тиристора, то ток через прибор и нагрузку будет протекать только в течение какой-то определенной части импульса. Так при небольшой задержке тиристор может быть отперт в начале импульса, при больших задержках – в любой точке импульса, либо в его конце. Тем самым можно регулировать средний за период ток, проходящий в нагрузке, от максимального почти до нуля. Такой способ управления называется фазовым регулированием или фазовым управлением, фазовым модулированием поскольку при этом изменяется сдвиг фаз между импульсом и началом протекания прямого тока.
Математическая модель устройства.
Генератор первообразного напряжения.
Рассмотрим процесс заряда – разряда емкости С1 в импульсном режиме.
(1)
(2)
Уравнение заряда конденсатора С1
(3)
Уравнение разряда конденсатора С1
(4)
Решая дифференциальные уравнения, получим:

, где время заряда емкости С1
- время разряда емкости С1
Решая эту систему получим выражение для амплитуды длительности импульса и периода через параметры схемы.
Выражение для амплитуды примет вид
![]()
Длительность импульса.

В таком случае период

Математическое описание блока формирующего импульсное напряжение на нагрузке.
Уравнение заряда емкости С2
(5)
Уравнение разряда емкости С2
(6)
Экспоненту заряда емкости С2 запишем в виде
, где
(7)
Экспонента разряда
, где
(8)
Время заряда емкости С2
![]()
Время разряда
![]()
Период
(9)
(9)
Математическая модель всего устройства.
![]()
(1)
(2)
(3)
(4)
(5)
(6)
(7)
где ![]()
(8)
где ![]()
(9)
(9)
4. Синтез схемы.
4.1.Последовательный расчет фазоимпульсного модулятора.
Выбираем транзистор VT1, исходя из его способностей пропустить ток заряда конденсатора С1 за время q2 и выбираем двухбазовый диод Uc1 и пропускаем ток падение напряжения которого на резисторе R3 открывает тиристор VT4. Выбираем тиристор VT4, напряжение VБ12 которого меньше 30B и время отпертого состояния которого соответствует времени q1.

Рассчитаем величину емкости С1
Задаемся временем заряда ![]()
Из формулы (3) время заряда
, откуда
![]()
Выбираем транзистор задаваясь временем заряда и током
,
Где t3-время заряда емкости С1,tnVT1-время переключения транзистора VT1 можно не учитывать в виду его малости по сравнению c tЗ (tnVT»
)
Задаемся q2=tp – временем разряда емкости С1.
Из уравнения (3) получаем

Из уравнения (4) находим R4
(9а)
Решая совместно уравнение (1) и (2) получим
(10)
(11)
Таким образом, получили все номиналы элементов, образующих требуемый модулируемый импульс.
Численный расчет схемы.
Выбираем транзистор МП42Б служащий для устройств переключения и с небольшим сопротивлением RКЭ, которые в основном определяется сопротивлением коллектора rk
![]()
Выбираем тиристор К4104Б со следующими характеристиками:
Постоянный ток в закрытом состояние Iзс = 0,5мВ
Отпирающий постоянный ток управления IY от=20мА
Отпирающее постоянное напряжение управления UУ от=2В
Напряжение в открытом состояние UОС=2В
Неотпирающее постоянное напряжение управления UУНОТ=0,1В
Время включения tвкл=0,29мkс
Время выключения tвыкл=2,5мkс
Предельно допустимые параметры:
Постоянное напряжение в закрытом состояние UЗ с max=30B
Постоянное обратное напряжение UОБР max=6B
Постоянный ток в открытом состоянии IОС min=0,1A
Постоянный прямой ток управления IУ min0=0,03B
Средняя рассеиваемая мощность PСР РАС=0,2В
Выбираем двухбазовый или управляемый диод, или однопереходной транзистор ОПТ: К117А со следующими предельно допустимыми параметрами:
Ток эмиттера IЭ max=50мА
Ток эмиттер-база IЭБО max=1мкА
Ток включения IВКЛ max=20мкА
Ток выключения IВЫКЛ min=1мА
Напряжение на базах UБ12 max=30B
Напряжения насыщения эмиттер-база Umax ЭБ нас=5В при IЭ=50мА
Коэффициент К К=0,6
Сопротивление между базами RБ12=6кОм UЭК=0,6·27=16,2
Резистор
![]()
берем 1,1Ом.
Напряжение питания схемы берем UП=27В
Емкость конденсатора
![]()
берем 0,016мкФ.
Время разряда

Подставляем значения в формулу (10) и определяем R3
![]()
Подставляя значения в формулу 11, определяем R2.
![]()
По формуле (9а) считаем:
![]()
берем 62Ом.
Совершенно аналогично для тех же времен заряда и разряда, то есть для аналогичной модуляции фазой определим:
R6=51Ом, R5=20Oм,
, С3=0,016мкФ
ПЭС
![]()


R1
VT1 R2 RH C2 R4 R7
VT2 VT3
T1 T2
C1 R3 R6 C3
X1
referat-web.com Бесплатно скачать - рефераты, курсовые, контрольные. Большая база работ.